| 材料, K 值 |
標準 X, Y(英寸) |
標準厚度（毫英寸) |
可選厚度(毫英寸) |
| 氮化鋁, 9.0 |
2 x 2 |
5, 10, 15, 25, 40 |
5-50 |
| 鋁, 9.9 |
2 x 2 |
5, 10, 15, 20 |
5-25 |
| 石英, 3.8 |
2 inch round |
10 |
5-25 |
| X7R B, 1200 |
1 x 1 |
5, 10 |
4-25 |
| X7R X, 2700 |
1 x 1 |
5, 10 |
4-25 |
| X7R T, 4000 |
1 x 1 |
7, 10 |
4-25 |
| GBBL A, 20,000 |
1.4 x 1.4 |
7, 10 |
5-15 |
| GBBL A, 60,000 |
1.4 x 1.4 |
7, 10 |
5-15 |
注意: 氧化鋁和氮化鋁基板通常進行表面燒結製造，拋光至2 µ-inch金屬薄膜。
| 金屬 |
鍍膜方法 |
厚度(Angstroms) |
典型方法 |
| 鈦(Ti) |
濺射鍍膜 |
200-1,000 |
阻擋, 粘附 |
| 氮化鈦(TiN) |
反應性濺射鍍膜 |
200-1,000 |
阻擋, 粘附 |
| 鈦鎢(TiW) |
濺射鍍膜 |
200-2,000 |
阻擋, 粘附 |
| 鈦鎢氮化物(TiWN) |
反應性濺射鍍膜 |
200-2,000 |
阻擋, 粘附 |
| 鎳(Ni) |
濺射鍍膜 |
200-2,000 |
晶片貼裝焊接阻擋層 |
| 鎳(Ni) |
電鍍 |
5,000-25,000 |
晶片貼裝焊接阻擋層 |
| 金(Au) |
濺射鍍膜 |
1,000-10,000 |
晶片貼裝, 引線鍵合 |
| 金(Au) |
電鍍 |
5,000-75,000 |
晶片貼裝, 引線鍵合 |
| 金/錫(AuSn-80/20) |
NA |
5,000-50,000 |
共晶高可靠性焊接 |
| 銅(Cu) |
濺射鍍膜 |
1,000-20,000 |
銅導體 |
| 鉭(Ta) |
濺射鍍膜 |
200-5,000 |
阻擋, 粘附 |
| 氮化鉭(TaN) |
反應性濺射鍍膜 |
500-5,000 |
佈線電阻(典型 1000A, 50Ω/□) |
根據客戶要求，可提供其他金屬材料
| 提供特徵 |
最小寬度(µm)* |
| 導線寬度 |
25 |
| 間距 |
25 |
| 寬度/間距公差/td>
| 5 |
| 鐳射鑽孔 |
75 |
| 鍍通孔 |
75 |
| 第二層校準 |
+/- 7 |
| 50Ω/□ 電阻體 |
25 |
| 金/錫AuSn(80/20) |
Blanket |
| 金/錫AuSn(80/20) |
75 |
*-> μm = microns = 10-6m 25.4μm=1 mil
| 基板材料 |
物料代碼 |
K |
溫度係數 |
工作溫度 |
損耗因數 |
| ALN * | F | 8.8 | 170 W/M deg K (Th. Cond.) | -55 to +125 deg. C | |
| 氧化鋁 * | G | 9.9 | P120 +/- 30 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C | |
| 鈦酸鹽基材料 | C | 23 | 0 +/- 30 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C | < 0.15 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
K |
37 | 0 +/- 30 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C | < 0.15 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
N |
80 | 0 +/- 30 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C | < 0.15 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
U |
120 |
-750 +/- 120 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C |
< 0.25 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
V |
160 |
-1500 +/- 300 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C |
< 0.25 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
R |
280 |
-750 +/- 120 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C |
< 0.25 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
L |
350 |
-750 +/- 120 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C |
< 150% @ 1 MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
D |
600 |
+/- 10% (-55 to +125 C) | -55 to +125 deg. C |
<2.50 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
B |
1200 | +/- 10% (-55 to +125 C) | -55 to +125 deg. C |
< 2.50 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
W |
2000 | +/- 10% (-55 to +125 C) | -55 to +125 deg. C |
< 2.50 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
X |
2700 |
+/- 15% (-55 to +125 C) | -55 to +125 deg. C |
< 2.50 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
T |
4000 |
+/- 15% (-55 to +125 C) | -55 to +125 deg. C |
< 2.50 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
Z |
8000 |
+22 / -56% (+10 to +85 C) | -55 to +125 deg. C |
< 4.00 ％ @ MHz |
| 鈦酸鹽基材料 |
Y |
12000 |
+22 / -82% (-30 to +85 C) | -55 to +125 deg. C |
< 4.00 ％ @ MHz |
