| 材料, K 值 |
标准 X, Y(英寸) |
标准厚度（毫英寸) |
可选厚度(毫英寸) |
| 氮化铝, 9.0 |
2 x 2 |
5, 10, 15, 25, 40 |
5-50 |
| 铝, 9.9 |
2 x 2 |
5, 10, 15, 20 |
5-25 |
| 石英, 3.8 |
2 inch round |
10 |
5-25 |
| X7R B, 1200 |
1 x 1 |
5, 10 |
4-25 |
| X7R X, 2700 |
1 x 1 |
5, 10 |
4-25 |
| X7R T, 4000 |
1 x 1 |
7, 10 |
4-25 |
| GBBL A, 20,000 |
1.4 x 1.4 |
7, 10 |
5-15 |
| GBBL A, 60,000 |
1.4 x 1.4 |
7, 10 |
5-15 |
注意: 氧化铝和氮化铝基板通常进行表面烧结制造，抛光至2 µ-inch金属薄膜。
| 金属 |
镀膜方法 |
厚度(Angstroms) |
典型方法 |
| 钛(Ti) |
溅射镀膜 |
200-1,000 |
阻挡, 粘附 |
| 氮化钛(TiN) |
反应性溅射镀膜 |
200-1,000 |
阻挡, 粘附 |
| 钛钨(TiW) |
溅射镀膜 |
200-2,000 |
阻挡, 粘附 |
| 钛钨氮化物(TiWN) |
反应性溅射镀膜 |
200-2,000 |
阻挡, 粘附 |
| 镍（Ni） |
溅射镀膜 |
200-2,000 |
芯片贴装焊接阻挡层 |
| 镍(Ni) |
电镀 |
5,000-25,000 |
芯片贴装焊接阻挡层 |
| 金(Au) |
溅射镀膜 |
1,000-10,000 |
芯片贴装, 引线键合 |
| 金(Au) |
电镀 |
5,000-75,000 |
芯片贴装, 引线键合 |
| 金/锡(AuSn-80/20) |
NA |
5,000-50,000 |
共晶高可靠性焊接 |
| 铜(Cu) |
溅射镀膜 |
1,000-20,000 |
铜导体 |
| 钽(Ta) |
溅射镀膜 |
200-5,000 |
阻挡, 粘附 |
| 氮化钽(TaN) |
反应性溅射镀膜 |
500-5,000 |
布线电阻(典型 1000A, 50Ω/□) |
根据客户要求，可提供其他金属材料
| 提供特征 |
最小宽度(µm)* |
| 导线宽度 |
25 |
| 间距 |
25 |
| 宽度/间距公差 |
5 |
| 激光钻孔 |
75 |
| 镀通孔 |
75 |
| 第二层校准 |
+/- 7 |
| 50Ω/□ 电阻体 |
25 |
| 金/锡AuSn(80/20) |
Blanket |
| 金/锡AuSn(80/20) |
75 |
*-> μm = microns = 10-6m 25.4μm=1 mil
| 基板材料 |
物料代码 |
K |
温度系数 |
工作温度 |
损耗因数 |
| ALN * | F | 8.8 | 170 W/M deg K (Th. Cond.) | -55 to +125 deg. C | |
| 氧化铝* | G | 9.9 | P120 +/- 30 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C | |
| 钛酸盐基材料 | C | 23 | 0 +/- 30 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C | < 0.15% @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
K |
37 | 0 +/- 30 ppm / deg C/td> | -55 to +125 deg. C | < 0.15% @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
N |
80 | 0 +/- 30 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C | < 0.15% @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
U |
120 |
-750 +/- 120 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C |
< 0.25 ％ @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
V |
160 |
-1500 +/- 300 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C |
< 0.25 ％ @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
R |
280 |
-750 +/- 120 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C |
< 0.25 ％ @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
L |
350 |
-750 +/- 120 ppm / deg C | -55 to +125 deg. C |
< 150 ％ @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
D |
600 |
+/- 10% (-55 to +125 C) | -55 to +125 deg. C |
< 2.50% @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
B |
1200 | +/- 10% (-55 to +125 C) | -55 to +125 deg. C |
< 2.50% @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
W |
2000 | +/- 10% (-55 to +125 C) | -55 to +125 deg. C |
< 2.50% @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
X |
2700 |
+/- 15% (-55 to +125 C) | -55 to +125 deg. C |
< 2.50% @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
T |
4000 |
+/- 15% (-55 to +125 C) | -55 to +125 deg. C |
< 2.50% @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
Z |
8000 |
+22 / -56% (+10 to +85 C) | -55 to +125 deg. C |
< 4.00% @ 1 MHz |
| 钛酸盐基材料 |
Y |
12000 |
+22 / -82% (-30 to +85 C) | -55 to +125 deg. C |
< 4.00% @ 1 MHz |
